Ang silicon nitride ceramic substrate ay may maraming benepisyo, tulad ng mataas na tibay, tibay, at pambihirang thermal conductivity (130W/(m-k)). Bukod pa rito, ang thermal expan sion coefficient nito ay halos kapareho ng Si, SiC, at GaN semiconductors. Dahil dito, ang silicon nitride ceramic substrate ay isang ideal na pagpipilian para sa pag-iimpake ng high-power modules, kaya't kinikilala ito bilang pinakaangkop na ceramic substrate option.

Ginagamit ng aming kumpanya ang direct nitridation process upang makagawa ng high-purity silicon powder. Sa pamamagitan ng aming natatanging patented na teknolohiya, kinokontrol namin ang silicon material, nitriding process, at refining process upang ihanda ang CF-HJ silicon nitride powder na may mataas na purity, mataas na a phase content, makitid na distribusyon ng particle size, at pambihirang sintering activity. Ang ganitong uri ng silicon nitride powder ay epektibong nagwakas sa mga dayuhang monopolyo at maaaring magsilbing ganap na kapalit ng imported silicon nitride powder na may parehong kalidad.